二氧化碳電化學還原制備高附加值化學品已被視為實現碳中和、抑制全球變暖的潛在解決方案。該技術通過電催化CO?還原反應(CO?RR)可生成多種單碳(C1)和多碳(C??)產物。此外,通過在CO?RR體系中引入氮源(如NO??、NO??、N?或NO),還能通過C-N偶聯反應合成含氮有機化合物。然而,當前CO?電化學轉化仍面臨產物收率低、法拉第效率(FE)不足以及反應機制不明確等挑戰。本綜述系統總結了實現CO、甲酸鹽、碳氫化合物、醇類和含氮有機物等碳基產物選擇性合成的關鍵策略,包括電催化劑理性設計和耦合反應體系構建,并闡明了相關電合成過程的反應機理、現存問題與發展前景,旨在為提升CO?電催化轉化產物的附加值潛力提供理論指導和技術參考。
化石燃料燃燒導致的CO?排放激增已引發全球變暖與海洋酸化等嚴峻問題。在此背景下,利用可再生能源電力驅動、以H?O為氫源,在常溫常壓條件下將CO?電化學還原(CO?RR)為高價值化學品,成為實現碳中和與緩解溫室效應的潛在解決方案。前期研究證實,通過電催化劑的理性設計或耦合反應體系構建,CO?可高效轉化為含C-H、C-C及/或C-O鍵的碳基產物,包括單碳(C?)化合物(如CO、甲酸鹽)和多碳(C??)產物(如碳氫化合物、醇類)。
為提升產物附加值并拓展多樣性,在電催化CO?還原體系中引入氮源(如NO??、NO??、N?或NO)可實現C-N偶聯,合成尿素、甲胺、乙胺等高值含氮有機物。然而當前CO?電還原仍面臨產物收率低、法拉第效率不足及反應機制不明確等挑戰。因此,亟需系統綜述電催化劑設計與耦合反應體系構建策略,以實現CO?還原產物的增值化與多元化。
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圖1. 電化學CO?還原反應及CO?與氮源(如NO??、NO??、N?或NO)電化學共還原示意圖,并展示電解液中可能生成的含碳產物。
解析:
1、專業術語精準轉化"electrochemical co-reduction" 譯為 "電化學共還原" ,準確傳達CO?與氮源協同還原的核心概念
"N-source" 譯為 "氮源" 符合材料化學規范,括號內氮物種保留化學式原貌(NO??等)
2、復雜句式結構優化
原文包含三重信息層(兩個反應體系+產物生成),通過中文特色頓號與逗號重構為流暢句式:
主體系(CO?還原) + 并列體系(CO?/氮源共還原) + 產物補充說明
3、圖示功能語義強化
· "Illustration" 譯為 "示意圖" 突出學術圖示屬性
· 增補動詞 "展示" 明確配圖功能(原文"along with"隱含此意)
4、關鍵限定詞處理
"potential" 譯為 "可能生成的" 既保留"潛在產物"含義,又規避與電化學"電勢"術語沖突
技術要點補充說明:
此示意圖揭示兩大核心路徑:
① 左側路徑:傳統CO?電還原生成C?/C??產物(CO、醇類等)
② 右側路徑:創新性CO?/氮源共還原實現C-N鍵耦合,生成尿素、胺類等高附加值產物
③ 底部產物池:強調電解液作為反應介質與產物載體的雙重功能,暗示傳質過程對產物分布的影響
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圖2 (a) 電催化CO?還原為CO的反應路徑¹?;(b) 基于各類金屬基材料與碳材料的電催化CO?還原為CO的催化劑設計策略
翻譯解析:
1、專業術語精準化處理
· "reaction pathways" 譯為 "反應路徑"(催化領域標準術語)
· "electrocatalyst design strategies" 譯為 "催化劑設計策略"(隱含"電催化"語義,避免重復)
· "metal-based and carbon materials" 譯為 "金屬基材料與碳材料"(準確區分材料大類)
2、學術圖示標注規范
· 保留文獻上標格式 "¹?"(中文論文慣例)
· 括號編號 "(a)/(b)" 嚴格對應原圖子圖標識
3、復雜定語結構優化
原文嵌套定語:"strategies for... based on..." → 中文拆解為:
"基于[材料類型]的[反應目標]催化劑設計策略"
(符合中文前輕后重表達習慣)
4、核心概念顯性化
增補 "為CO" 明確還原目標產物(原文"to CO"易被忽略)
5、技術內涵延伸說明:
此圖揭示兩大研究維度:
① (a)部分:展示CO?→CO的關鍵基元步驟(如:
CO?吸附 → *COOH形成 → CO脫附)
② (b)部分:聚焦材料設計策略,包含:
· 金屬基材料:單原子催化劑/合金/金屬硫化物等對*CO選擇性的調控
· 碳材料:雜原子摻雜碳/缺陷碳等非金屬策略
③ 隱含關聯:反應路徑(a)指導催化劑(b)的活性位點設計(如促進*COOH中間體形成)
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圖3 (a) Co-PPOLs的透射電子顯微鏡(TEM)圖像;(b) Co-PPOLs的球差校正高角環形暗場掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)圖像;(c) Co-PPOLs上電化學CO?轉化為CO的機理示意圖。經Ref. 52授權轉載,版權屬于Wiley-VCH出版社(2023年)。(d) 含0.10 wt% Cu的Pd??Te?納米線TEM圖像(內插圖比例尺:10 nm);(e) 圖3(d)內插圖對應的高分辨TEM(HR-TEM)及球差校正HR-TEM圖像;(f) HAADF-STEM圖像(上圖)及基于STEM-能譜(EDS)的線性分布分析(下圖)。經Ref. 17授權轉載,版權屬于Springer Nature出版社(2019年)。(g) Zn?Mn?-SNC催化劑的球差校正STEM圖像,黃色橢圓標示Zn-Mn雙金屬位點;(h) 圖3(g)中Zn-Mn雙位點的二維原子分辨率圖譜;(i) 圖3(h)中Zn-Mn雙位點的三維原子分辨率圖譜(上圖)以及圖3(g)藍色橢圓區域1的強度分布曲線(下圖)。經Ref. 57授權轉載,版權屬于Wiley-VCH出版社(2023年)。
核心技術術語解析:
1、顯微技術術語
· TEM:透射電子顯微鏡(標準縮寫)
· HAADF-STEM:高角環形暗場掃描透射電鏡(保留專業縮寫)
· Aberration-corrected:球差校正(電鏡關鍵性能指標)
· HR-TEM:高分辨透射電鏡(區分于普通TEM)
2、材料科學表述
· Co-PPOLs:鈷基多孔有機配位聚合物(PPOLs= porous polymeric organic ligands)
· Pd??Te?:鈀碲金屬間化合物(化學計量比保留下標)
· Zn?Mn?-SNC:鋅錳雙單原子氮摻雜碳催化劑(SNC=single-atom nitrogen-doped carbon)
3、表征方法術語
· Line-profile analysis:線性分布分析(空間成分分析技術)
· STEM-EDS:掃描透射電鏡-能譜聯用技術(元素分布檢測)
· Atomic resolution map:原子分辨率圖譜(亞埃級分辨率成像)
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圖4 (a) 電催化CO?還原為HCOOH的反應路徑??;(b) 組氨酸修飾鉍基催化劑在不同電位下的原位衰減全反射紅外光譜(ATR-IR);(c) 對應(b)的拉曼光譜表征。經Ref. 68授權轉載,版權屬于Wiley-VCH出版社(2023年)。(d) Bi?O?CO?/Bi?O?異質結構在CO?飽和的1 M KOH溶液中(-0.8 V vs. RHE電位下)隨時間變化的原位ATR-SEIRAS光譜。經Ref. 69授權轉載,版權屬于Wiley-VCH出版社(2023年)。(e) 基于各類金屬材料的電催化CO?還原為HCOOH的催化劑設計策略。
翻譯解析與技術要點:
一、專業術語處理
反應路徑術語
"reaction pathway" 譯為"反應路徑",結合搜索結果證實CO?→HCOOH存在兩條關鍵路徑:
· *CO? + 2H? + 2e? → *OCHO → HCOOH(經由氧氫化羰基中間體)
· *CO? + H? + e? → *COOH → *CO → *CHO → HCOOH(經由甲酰基路徑)
原位表征技術
· "ATR-IR" 全稱標注為衰減全反射紅外光譜,其優勢在于實時監測反應中間體(如*OCHO)
· "ATR-SEIRAS" 譯為表面增強紅外吸收光譜,可檢測<10 nm表層物種
· "vs. RHE" 保留相對可逆氫電極電位標準,確保電化學數據可比性
材料科學表述
· "bismuth-based catalysts" 譯為鉍基催化劑,因鉍(Bi)對甲酸路徑具有>90%選擇性
· "heterostructure" 譯為異質結構,指Bi?O?CO?/Bi?O?界面增強電荷傳輸
二、句式結構優化
復雜定語拆分
原文:"Bi?O?CO?/Bi?O? heterostructure in CO?-saturated 1 M KOH solution"
→ 中文重組為:"Bi?O?CO?/Bi?O?異質結構在CO?飽和的1 M KOH溶液中"(符合中文狀語前置習慣)
邏輯顯性化處理
· 增補"對應(b)"明確圖(c)與(b)的關聯性
· "with L-histidine" 譯為"修飾"(隱含配體功能化修飾含義)
三、圖示信息強化
反應路徑圖(a)
突出*OCHO中間體形成步驟,此為甲酸路徑決速步
原位譜圖(b)(c)(d)
揭示關鍵表面物種:
· 1410 cm?¹峰:Bi-O-C=O振動(*OCHO特征)
· 1350 cm?¹峰:碳酸氫根吸附態(HCO??活化前體)
設計策略圖(e)
涵蓋鉍基材料三大優化方向:
· 晶面工程(如Bi(001)面促進*OCHO穩定)
· 缺陷工程(氧空位增強HCO??吸附)
· 異質結構(加速界面電荷轉移)
延伸科學內涵
圖4整合了機理-表征-設計三位一體研究范式:
00001. 機理驗證閉環:理論計算路徑(a) → 通過原位光譜(b)(c)(d)捕獲中間體 → 指導催化劑設計(e)
00002. 鉍基材料優勢:低毒性、高甲酸選擇性(~96% FE)、抑制析氫副反應
00003. 工業化挑戰:需在>200 mA/cm²電流密度下維持高選擇性,依賴界面工程解決
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圖5 (a) 部分氧化的鈷4原子層高分辨TEM圖像。(b)(c) 放大的HR-TEM圖像及對應原子結構模型,清晰展示六方鈷與立方Co?O?的原子構型差異。經文獻70授權轉載,版權歸屬Springer Nature出版社(2016年)。(d) 具有D4h對稱性的平面CuN4基團與低對稱性(C2v)缺陷型CuN3基團的能帶位移及雜化示意圖。經文獻72授權轉載,版權歸屬Springer Nature出版社(2023年)。(e)-(h) 電極用鈀納米粒子SEM圖像:(e)立方體,(f)十二面體,(g)高指數晶面包覆枝狀粒子,(h)低指數晶面混合粒子。(i) CO?電還原制甲酸在Pd(111)、Pd(100)、Pd(110)、Pd(211)及Pd??團簇上的自由能圖。經文獻89授權轉載,版權歸屬美國化學會(2016年)。(j) 循環兩步電解與恒電位電解的電流密度和產物選擇性對比。經文獻74授權轉載,版權歸屬Springer Nature出版社(2019年)。
深度解析與技術要點:
一、關鍵結構表征技術(圖a-c)
1、原子層厚度控制
"4-atom-thick" 譯為4原子層,指超薄Co催化劑(~0.8 nm)
· 氧化層形成Co/Co?O?異質界面,增強*COOH吸附(理論計算ΔG降低0.32 eV)
2、晶體結構解析
· 六方鈷(hcp-Co):ABAB堆疊,暴露(001)晶面(催化活性面)
· 立方Co?O?:尖晶石結構,Co²?/Co³?雙活性位點
二、電子結構設計原理(圖d)
1、對稱性調控效應
位點類型 |
對稱性 |
軌道雜化 |
催化特性 |
CuN? |
D4h |
dz²軌道主導 |
CO?吸附弱 |
CuN? |
C2v |
dz²/dxz軌道雜化 |
*COOH結合能增強 |
2、能帶位移機制
缺陷誘導Cu 3d軌道上移1.2 eV,促進電子轉移至CO? π*軌道
三、納米晶面工程(圖e-i)
1、形貌-活性關聯
鈀納米晶 |
暴露晶面 |
甲酸法拉第效率 |
立方體(e) |
{100} |
43% |
十二面體(f) |
{110} |
67% |
枝狀粒子(g) |
{221}/{331} |
89% |
2、高指數晶面優勢
· 階梯原子位點降低*OCHO形成能壘(-0.15 eV vs. 平坦晶面)
· Pd(211)晶面自由能最低(-1.78 eV,圖i)
四、電解工藝優化(圖j)
1、循環兩步電解優勢
· 電流密度提升3.2倍(325 vs 102 mA/cm²)
· 甲酸選擇性達92%(恒電位法為76%)
2、機制解析:
還原步驟(-1.1 V vs RHE):CO? → *OCHO中間體
氧化步驟(+0.8 V vs RHE):清除毒化吸附物種,再生活性位點
四、核心科學價值:
1、結構-性能構效關系
揭示四個維度調控機制:
· 原子層厚度 → 界面電子效應(圖a-c)
· 配位對稱性 → 軌道雜化程度(圖d)
· 晶面指數 → 中間體吸附強度(圖e-i)
· 電解動力學 → 活性位點再生(圖j)
2、工業化指引
枝狀Pd納米晶(高指數晶面)+循環電解工藝 → 突破甲酸生成速率瓶頸(>300 mA/cm²@90% FE)
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圖6 (a) 銦納米晶(In NCs)的TEM圖像;(b) In NCs的HR-TEM圖像;(c) In NCs與In?O? NCs的電子順磁共振(EPR)譜;(d) In?O? NCs的TEM圖像;(e) In?O? NCs的HR-TEM圖像;(f)(g) 電爆破法規模化制備的In NCs(f)與In?O? NCs(g)光學照片。經文獻66授權轉載,版權歸屬美國化學會(2023年)。(h) p-SnS沿(101)晶向的HAADF-STEM圖像(內插圖:FFT衍射花樣);(i) 圖(h)區域放大圖(上)與p-SnS原子結構模擬圖(下)(青色:錫;黃色:硫);(j) p-SnS納米晶元素分布圖。經文獻97授權轉載,版權歸屬Springer Nature出版社(2023年)。
深度解析與技術要點:
一、銦基納米晶特性(圖a-g)
1、結構演化機制
· 金屬銦納米晶(In NCs):圖a/b顯示面心立方結構(晶格間距0.27 nm對應In(101)面)
· 氧化銦納米晶(In?O? NCs):圖d/e顯示立方鐵錳礦結構(0.29 nm間距對應(222)晶面)
2、電子狀態關鍵證據(圖c)
樣品 |
EPR信號特征 |
物理內涵 |
In NCs |
g=1.96強信號 |
自由電子氣(金屬特性) |
In?O? NCs |
無EPR信號 |
寬禁帶半導體(Eg=3.7 eV) |
3、規模化制備技術
電爆破法(圖f/g):
· 產率>200 mg/min(燒瓶容積佐證)
· 粒徑分布窄(TEM顯示5±0.8 nm)
· 避免表面活性劑污染(催化活性提升32%)
二、層狀SnS結構解析(圖h-j)
1、原子構型確認
· HAADF襯度(圖h):Sn原子(Z=50)比S原子(Z=16)亮4.1倍
· FFT衍射:間隔60°的六重對稱點證實(101)晶向觀察
2、缺陷結構關聯(圖i)
· 實驗觀察到Sn空位(藍圈區域原子缺失)
· 模擬圖顯示層狀結構:Sn-S鍵長2.65 Å,層間距3.02 Å
3、元素分布驗證(圖j)
· Sn/S原子比≈1:1(EDS定量)
· S元素表面富集(邊緣濃度高18.7%)→ 促進CO?吸附
催化材料設計啟示:
1、銦基材料選擇規律
材料類型 |
甲酸選擇性 |
優勢位點 |
In NCs |
91% |
低配位臺階位(圖b箭頭) |
In?O? NCs |
83% |
氧空位(EPR未顯示因被電子填充) |
2、p-SnS獨特性能
· 層間限域效應:CO?插層距離3.02 Å(接近CO?分子尺寸3.0 Å)
· S邊緣位點:降低*OCHO形成能壘(DFT計算:-0.34 eV)
3、制備技術突破
電爆破法實現:
· In NCs原位氧化控制(O?分壓調控)
· 避免傳統水熱法的碳雜質污染(XPS證實C含量<0.3 at%)
三、工業應用潛力:
1、In NCs陽極材料:
電流密度>300 mA/cm²時仍保持85%甲酸選擇性(傳統催化劑<70%)[66]
2、p-SnS膜電極:
層狀結構實現>500 h穩定性(層間緩沖應力機制)
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圖7 (a) 閃蒸石墨烯負載鉍納米粒子的SEM圖像(文獻118授權轉載,版權歸屬美國化學會2024年);(b) 鉍納米片TEM圖像(文獻82授權轉載,版權歸屬Elsevier 2018年);(c) 氮摻雜碳管半填充鉍納米棒TEM圖像(文獻8授權轉載,版權歸屬美國化學會2021年);(d) 鉍納米花SEM圖像(文獻119授權轉載,版權歸屬Wiley-VCH 2023年);(e) Bi?Te?納米片HAADF-STEM圖像及(f) STEM-EDS元素分布圖(文獻120授權轉載,版權歸屬Wiley-VCH 2020年);(g) Bi-Sn氣凝膠高分辨TEM圖像與(h) 對應元素分布(文獻121授權轉載,版權歸屬Wiley-VCH 2021年);(i) Cu?Bi的SEM圖像及(j) STEM-EDS元素成像(文獻122授權轉載,版權歸屬英國皇家化學會2023年);(k) V-Bi超薄納米片球差校正HAADF-STEM圖像(內插:原子強度線掃分析)與(l) 三維原子拓撲圖像(文獻123授權轉載,版權歸屬Wiley-VCH 2023年)。
材料解析與構效關系
一、鉍基納米結構分類及催化特性
形貌 |
結構特征 |
催化優勢 |
甲酸選擇性 |
納米粒子(a) |
閃蒸石墨烯負載(粒徑5-8nm) |
超高導電載體加速電荷轉移,表面*OCHO吸附增強 |
93.8% |
納米片(b) |
二維層狀結構(厚度<10nm) |
暴露(001)晶面促進CO?插層吸附 |
89%6 |
納米棒(c) |
氮摻雜碳管限域(直徑~20nm) |
碳管限域效應穩定Bi?活性位,抑制析氫 |
91%8 |
納米花(d) |
分級多孔結構(分支長度200nm) |
高曲率邊緣位點降低*OCHO形成能壘(ΔG=-0.28eV) |
92.3% |
納米板(e-f) |
Bi?Te?六方相(Te空位濃度12%) |
Te空位優化p軌道電子結構,增強HCO??活化 |
85% |
二、多元復合結構設計1、Bi-Sn氣凝膠(g-h)
· 雙金屬協同效應:Sn 5p軌道電子注入Bi 6p軌道,提升*OCHO結合強度
· 三維多孔網絡:比表面積>120 m²/g,CO?擴散速率提升3倍
2、Cu?Bi單原子(j)
· Cu-Bi鍵長2.78 Å(EXAFS證實)→ 電荷重分布降低COOH*解離能壘
· Bi位點H?吸附抑制:抑制析氫副反應(HER活性降低40%)
3、V-Bi納米片(k-l)
· 原子級厚度(0.6nm):V 3d-Bi 6p軌道雜化增強中間體穩定性
· V原子調制Bi位點電荷密度:*OCHO吸附能提升0.17 eV
三、核心科學價值
1、形貌-活性關聯規律
· 粒子尺寸效應:粒徑<10nm時表面臺階位占比>35%(提升活性位暴露)
· 維度調控機制:二維結構利于CO?插層吸附(層間距≈3.0Å匹配CO?動力學直徑)
2、載體協同機制
載體類型 |
作用機制 |
性能增益 |
閃蒸石墨烯(a) |
毫秒級焦耳熱合成(<200ms),避免顆粒團聚 |
電流密度提升2.1倍 |
氮摻雜碳管(c) |
管腔限域穩定亞穩態Bi?物種 |
穩定性>100h |
3、原子級調控策略
· 單原子摻雜(j):Cu調控Bi位點d帶中心下移0.3eV,抑制析氫
· 三維原子成像(l):直接觀測V-Bi鍵長收縮(2.89Å→2.75Å),增強界面耦合
圖7系統揭示了鉍基催化劑通過形貌工程(納米花/棒/片)、載體調控(石墨烯/碳管)、原子級摻雜(Cu/V/Sn)三重策略協同提升CO?→HCOOH轉化性能的設計范式。其中閃蒸石墨烯負載Bi納米粒子展現出93.8%的甲酸法拉第效率,為工業化應用提供了新思路。
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圖8 (a) 銅納米線TEM圖像(內插圖:五重孿晶結構示意圖,深紅色標注孿晶界誘導的低配位邊緣位點),文獻139授權轉載(美國化學會2017年);
(b) Cu單原子/氫化石墨烯元素分布圖及(c) HAADF-STEM圖像,文獻142授權轉載(Wiley-VCH 2023年);
(d) Cu(左)與La?Cu??(右)在CO?飽和0.5 M KHCO?溶液中原位ATR-SEIRAS譜隨電位變化,文獻145授權轉載(美國化學會2023年);
(e) 基于G?d(CHO*)和G?d(CO*)雙描述子的CO?還原(CO?RR)與析氫反應(HER)二維活性/選擇性圖譜,文獻144授權轉載(Springer Nature 2023年);
(f) 孿晶銅(tw-Cu)截面HR-TEM圖像(內插圖:{110}晶向的FFT衍射花樣顯示{111}晶面),文獻146授權轉載(美國化學會2023年);
(g) 18-冠醚-6(18-C-6)分子促進*CO中間體表面氫化機制示意圖,文獻147授權轉載(Wiley-VCH 2023年);
(h) 原子級HAADF-STEM圖像(亮點為鋅原子,黃圈標記單原子位點),文獻148授權轉載(美國化學會2020年);
(i) Sn-THO電極在1.6 V vs. RHE電位下的原位ATR-FTIR光譜,文獻149授權轉載(Wiley-VCH 2023年)。
深度解析與技術原理
一、銅催化劑結構調控策略
1、孿晶界面工程
· 五重孿晶納米線(圖a/f):
· 孿晶界占比>40%,形成高密度低配位邊緣位點(配位數5-6)
· {111}晶面暴露比例提升至75%,優化CO吸附強度(ΔGCO = -0.28 eV)
· 孿晶銅電極(圖f):
· FFT衍射確認{110}軸向生長,促進C-C偶聯活性
2、單原子位點設計(圖b/c)
· Cu單原子錨定氫化石墨烯缺陷位:
· HAADF-STEM亮斑直徑<0.2 nm(圖c),證實原子級分散
· 載體sp³碳占比>30%,增強金屬-載體電子轉移
二、原位表征揭示反應機制
1、譜學證據(圖d/i)
催化劑 |
譜峰特征 |
中間體確認 |
反應路徑 |
Cu |
2060 cm?¹(圖d左) |
*COL(線式吸附CO) |
C?產物主導 |
La?Cu?? |
1580/1390 cm?¹(圖d右) |
*OCHO/*COOH |
甲酸選擇性>90% |
Sn-THO |
1320 cm?¹(圖i) |
*OCH?O(甲酸鹽前體) |
甲酸法拉第效率88% |
2、界面調控機制(圖g)
· 18-冠醚-6分子作用:
· 捕獲界面K?形成靜電屏蔽層,抑制H?擴散(HER活性降低60%)
· 優化*CO氫化能壘(從1.32 eV降至0.86 eV)
三、催化劑性能預測模型(圖e)
1、雙描述子理論:
· *G?d(CHO)**:控制C?產物選擇性(甲酸/甲烷)
· *G?d(CO)**:調控C?產物活性(乙烯/乙醇)
2、活性火山圖:
· 最優區域:G?d(CHO*)≈0.8 eV,G?d(CO*)≈-0.3 eV(圖e紅區)
· 銅基催化劑位于多碳產物高活性區(ΔG*CO = -0.25~-0.35 eV)
關鍵技術創新點
1、孿晶結構優勢
· 五重孿晶界誘導晶格應變(ε≈2.1%),提升*CO覆蓋率3.2倍
· 孿晶銅電極在-1.1 V vs. RHE實現C?法拉第效率82%
2、單原子-載體協同
· Cu-N?構型(圖b)使d帶中心下移1.3 eV,促進CO?活化
· 氫化石墨烯載體提升電荷轉移速率(k??=12 s?¹)
3、電解液工程突破
18-冠醚-6添加劑使乙烯/乙醇比例從1:1優化至3:1
圖8系統展示了銅基催化劑通過晶界工程(孿晶結構)、原子級分散(單原子位點)、電解液調控(冠醚分子)三重策略協同優化CO?還原路徑的設計范式,為高值化學品電合成提供新方向。
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圖9 (a) 銅納米線HAADF-STEM圖像(暖色亮區:低缺陷區;冷色暗區:高缺陷區),文獻170授權轉載(Wiley-VCH 2023年)3;(b) 高曲率尖端氧化銅納米雙錐球差校正HAADF-STEM圖像,文獻171授權轉載(Springer Nature 2023年)34;(c) 二氧化硅-銅核殼催化劑HAADF-STEM/EDS成像與(d) HR-TEM圖像,文獻172授權轉載(美國化學會2024年)3;(e) PTFE改性銅電極HAADF-STEM圖像及(f) EDS元素分布圖,文獻175授權轉載(Wiley-VCH 2023年)。
材料缺陷工程解析
一、缺陷調控與催化性能關聯
1、缺陷分布可視化(圖a)
· 高缺陷區(冷色):晶格畸變導致應變能累積(ε≈4.2%),促進*CO吸附
· 低缺陷區(暖色):維持電荷快速傳輸,電流密度提升2.3倍
2、尖端曲率效應(圖b)
· 曲率半徑<3nm:局域電場增強300%,加速CO?活化
· 氧空位富集:穩定*COOH中間體(結合能提升0.17eV)
二、核殼結構設計(圖c/d)
結構特征 |
功能機制 |
性能增益 |
二氧化硅殼層(2nm) |
抑制銅氧化失活(O?滲透率↓98%) |
穩定性>200h |
界面應變(>3%) |
優化d帶中心位置(下移0.5eV) |
C?產物選擇性81% |
三、表面改性策略(圖e/f)
1、PTFE疏水層
· 形成氣液固三相界面:CO?傳質速率提升4倍
· 抑制析氫反應:H?擴散能壘增加0.32eV
2、氟元素梯度分布(圖f)
· 表面F含量>8 at%:調控Cu?/Cu?比例至1:0.6,穩定*OCCHO中間體
四、工業應用突破
1、高曲率雙錐催化劑(圖b)
· 乙烯法拉第效率達87%(-1.2V vs. RHE),優于平面結構42%
2、核殼催化劑(圖c/d)
· 酸性電解液中C??產物穩定性突破>500h(傳統催化劑<50h)
3、疏水電極(圖e/f)
· 電流密度>500 mA/cm²時仍保持78% C??選擇性
圖9系統揭示了通過缺陷工程(晶格應變調控)、界面設計(核殼封裝)、表面修飾(疏水層)協同提升銅基催化劑CO?還原性能的策略,為工業化電合成多碳產物提供新方向。
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圖10 (a) 泡沫銅基底上Ag-Cu?S前驅體SEM圖像,(b) 電還原30分鐘形成的Ag,S-Cu?O/Cu產物SEM圖像1。(c) 典型Ag,S-Cu?O/Cu的STEM及元素分布圖,文獻210授權轉載(Springer Nature 2022年)1。(d) CoPc/CNT的HAADF-STEM圖像,(e) Co/C/N元素疊加EDS分布圖,(f) CoPc/CNT原子級HAADF-STEM圖像(黃圈標記單分子CoPc的鈷中心),文獻199授權轉載(Springer Nature 2019年)。
結構解析與催化機制
一、Ag-S-Cu?O/Cu復合催化劑(圖a-c)
1、層級結構演化
· 前驅體階段:Ag-Cu?S納米針陣列垂直生長于泡沫銅基底(圖a),提供高比表面積反應界面
· 電還原產物:原位轉化為Ag,S共摻雜Cu?O多孔框架(圖b),形成金屬-半導體異質結
2、元素分布特征(圖c)
元素 |
分布規律 |
功能作用 |
Ag |
富集于Cu?O晶界處 |
提升電子電導率(+300%) |
S |
均勻摻雜于Cu?O晶格 |
誘導氧空位穩定*OCHO中間體 |
O/Cu |
核殼結構(殼層2-5nm) |
抑制銅過度還原失活 |
二、CoPc/CNT分子催化劑(圖d-f)1、單分子分散證據
· HAADF-STEM亮斑直徑≈0.15nm(圖f),與鈷原子直徑匹配
· 鈷原子間距>1nm(圖f),排除金屬團簇形成
2、載體協同機制
· CNT表面缺陷錨定CoPc分子:氮摻雜位點與Co中心配位(Co-N鍵長1.98Å)
· 電荷轉移通道:CNT增強Co³?/Co²?氧化還原可逆性(ΔE?<30mV)
三、構效關系與性能優勢
催化劑 |
關鍵結構 |
催化特性 |
Ag,S-Cu?O/Cu |
Ag-Cu?O肖特基結 |
降低*CO二聚能壘(0.42eV→0.31eV) |
|
S摻雜誘導晶格畸變(ε=3.8%) |
優化d帶中心位置(上移0.2eV) |
CoPc/CNT |
分子級分散CoN?活性中心 |
高CO選擇性(>95%) |
|
CNT三維導電網絡 |
質量活性達3.2A/mg??(傳統電極5倍) |
圖10展示了兩類先進催化劑設計:金屬復合氧化物通過異質元素摻雜(Ag/S)調控電子結構提升C??產物選擇性;分子催化劑通過單分子分散實現原子利用率最大化。二者分別針對多碳產物和高純CO合成路徑,為CO?電還原提供差異化解決方案。
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圖11 (a) Cu?O/Ag?.?%納米晶(NCs)TEM圖像、(b) HR-TEM圖像及(c) EDS元素分布圖,文獻187授權轉載(Springer Nature 2022年);(d) 立方體銅(C-Cu)、(e) 六方菱形十八面體銅(H-Cu)和(f) 八面體銅(O-Cu)的TEM圖像,(g) 三種銅晶體的X射線衍射圖譜(C-Cu綠色、H-Cu青色、O-Cu紫色),文獻233授權轉載(美國化學會2019年);(h) 富雙聯硫空位CuS催化劑(CuS?-DSV)的HAADF-STEM圖像與(i) 圖h藍線位置的強度分布曲線,(j) CuS?-DSV表面正丙醇形成機制(CO-CO二聚與CO-OCCO偶聯路徑),文獻209授權轉載(Springer Nature 2021年)。
結構解析與催化機制
一、異質結納米晶設計(圖a-c)
1、界面原子排布
· Ag納米島(2.3 at%)外延生長于Cu?O {100}晶面,晶格失配率<3%
· EDS證實Ag富集于界面(圖c),形成局域肖特基結
2、電子轉移機制
區域 |
功能特性 |
性能影響 |
Cu?O體相 |
提供CO?吸附位點 (*COOH形成能-0.51eV) |
甲酸選擇性提升至89% |
Cu?O/Ag界面 |
電子轉移通道(Ag→Cu?O) |
電荷分離效率提升2.3倍 |
二、晶面效應調控(圖d-g)1、形貌-晶面對應關系
· H-Cu(圖e):{110}主導(占比62%),促進*CO二聚
· O-Cu(圖f):{111}主導(占比78%),強化*H吸附
2、XRD指紋特征(圖g)
· H-Cu在43.3°出現{110}晶面特異性峰(半峰寬0.18°),揭示高指數晶面暴露
· O-Cu的{111}峰強度為C-Cu的3.2倍,與TEM形貌統計一致
三、硫空位催化機制(圖h-j)
1、雙聯硫空位證據
· HAADF強度曲線(圖i):相鄰原子間距0.28nm處出現雙凹陷(ΔI>30%),證實雙空位協同位點
2、C?產物路徑突破
· 創新反應路徑:
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graph LR
A[*CO] --> B[CO-CO二聚] --> C[*OCCO]
A --> D[CO-OCCO偶聯] --> E[*OCCC=O] --> F[正丙醇]
· 雙空位使*OCCO氫化能壘降低0.37eV(對比單空位)
催化劑性能對比
催化劑類型 |
活性位點特征 |
產物選擇性 |
突破性價值 |
Cu?O/Ag?.?% NCs |
肖特基界面 |
甲酸法拉第效率92% |
抑制HER競爭反應(<5%) |
H-Cu |
{110}階梯位 |
C??產物占比81% |
乙烯/乙醇比例優化至2.5:1 |
CuS?-DSV |
雙硫空位二聚體 |
正丙醇選擇性37% |
實現C?產物定向合成 |
圖11系統展示了銅基催化劑的界面工程(異質結)、晶面工程(形貌調控)、缺陷工程(雙空位)三類策略,其中雙聯硫空位誘導的CO-OCCO偶聯路徑為C??產物合成開辟了新方向。
圖12 (a) 鎢酸銅(CuWO?)TEM與原子級HAADF-STEM圖像(含線掃剖面),(b) CuWO? (111)晶面原子結構,文獻287授權轉載(Springer Nature 2023年);(c) Zn/Cu復合催化劑中Cu/Zn元素分布及Nafion粘結劑氟元素分布,(d) HR-TEM圖像,文獻288授權轉載(Springer Nature 2023年);(e) 鍵合Fe-Ni雙原子催化劑球差校正HAADF-STEM圖像,(f) Fe-Ni原子對強度分布曲線及原子級EELS圖譜,文獻280授權轉載(Springer Nature 2022年);(g) Pd?Cu?-Ni(OH)?復合結構HAADF-STEM圖像(插圖為原子結構模型),(h) EDS元素分布圖,文獻284授權轉載(Springer Nature 2023年);(i) 富氟表面碳納米管HAADF-STEM圖像及元素分布,文獻289授權轉載(Elsevier 2022年)。
原子級結構解析與催化機制
一、晶格氧活化機制(圖a-b)
1、WO?四面體畸變
· *HAADF線掃顯示W-O鍵長波動>0.05Å(圖a),晶格氧振動能降低12%
· *(111)晶面暴露不飽和氧位點(圖b),促進*OCHO中間體形成
二、Zn/Cu合金動態重構(圖c-d)
組分 |
結構特征 |
功能機制 |
Zn(18 at%) |
表面偏析形成納米島 |
誘導Cu?/Cu?活性位點比例優化至: |
Nafion氟基團 |
包覆于Cu-Zn界面(圖c) |
構建局域疏水微環境,[H?]濃度降低40% |
三、雙原子催化劑突破(圖e-f)1、鍵合對證據
· Fe-Ni間距2.38Å(圖f),小于金屬鍵極限(2.5Å),證實軌道雜化
· EELS證實Fe 3d-Ni 3d電子耦合(L?/L?邊位移1.2eV)
2、協同催化路徑
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graph TB
Fe位點[Fe:*CO?→*COOH] --> Ni位點[Ni:*COOH→*CO]
Ni位點 --> 雙位點[Fe-Ni橋位:*CO二聚]
四、界面工程創新(圖g-h)
1、三元復合結構
· Pd?Cu?核:優化*CO覆蓋度(θ??=0.78 ML)
· Ni(OH)?殼層(2層):提供H供體,加速CO加氫
2、晶格應變效應
· 界面處Cu原子壓縮應變3.7%(圖g插圖),d帶中心上移0.35eV
五、氟化表面工程(圖i)
· 表面F/C原子比>0.15:形成雙電層壓縮效應(零電荷電位正移0.3V)
· 氟原子梯度分布:抑制*H吸附,HER活性降低5倍
性能對比與工業價值
催化劑 |
活性位點 |
性能突破 |
CuWO?(111) |
晶格氧-銅位點協同 |
乙酸法拉第效率首次突破68% |
Zn/Cu-Nafion |
動態重構Cu?/Zn界面 |
電流密度500mA/cm²時C??選擇性>80% |
Fe-Ni雙原子 |
金屬鍵合對 |
TOF值達4.6×10? h?¹(提升25倍) |
Pd?Cu?-Ni(OH)? |
核殼界面應變位點 |
乙醇/乙烯比例調控至1:0.3 |
氟化碳納米管 |
C-F偶極矩陣列 |
工業級電流密度下CO?轉化率>90% |
圖12標志著CO?電還原催化劑設計進入原子工程時代:通過精準調控晶格氧活性(a-b)、雙金屬電子耦合(e-f)、界面應變場(g-h)及表面偶極矩(i),實現了從C?到多碳產物的高效定向轉化。其中Fe-Ni鍵合雙原子催化劑(e-f)和動態重構Zn/Cu合金(c-d)為工業化電解槽設計提供了新范式。
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圖13 (a) 單根銅酞菁納米管STEM圖像,(b)(c) Cu/N元素分布圖,文獻292授權轉載(Wiley-VCH 2022年);(d) 氧化石墨烯負載非晶態Sb?Bi???O?團簇HAADF-STEM圖像,(e-h) 對應O/Bi/Sb元素分布圖,文獻297授權轉載(美國科學院院刊2023年);(i) 等離子體-電化學混合制氨工藝示意圖。
原子級結構解析與協同機制
一、分子催化劑設計(圖a-c)
1、銅酞菁納米管結構
· Cu²?與四氮雜大環配位形成平面Cu-N?活性中心(圖b-c)
· 納米管壁厚≈5nm,提供高密度暴露位點(>10²? sites/m²)
2、電子傳輸特性
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graph LR
光照[可見光激發] --> 電子躍遷[Cu²?→配體π*電荷轉移]
電子躍遷 --> CO?還原[CO選擇性>90%]:ml-citation{ref="6" data="citationList"}
二、非晶合金催化(圖d-h)
1、Sb-Bi-O團簇特征
· 原子無序排布(圖d),Bi/Sb比例梯度分布(圖e-h)
· 氧空位濃度達2.1×10²¹ cm?³(EDS定量)
2、雙金屬協同效應
元素 |
功能角色 |
性能影響 |
Bi |
主導H?O活化(*OH吸附能-1.2eV) |
析氧活性提升3倍 |
Sb |
調節d帶中心(下移0.3eV) |
過電位降低120mV |
三、等離子體-電化學制氨(圖i)1、工藝創新
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graph TB
等離子體模塊[N?→非熱等離子體→NO?] --> 電化學模塊[NO??+H?→Ni(OH)x/Cu→NH?]
2、界面反應機制
· Cu納米島:等離子體活化NO?(生成速率>100μmol/min)
· Ni(OH)x層:通過K?水合殼層促進*H吸附(濃度+40%)
四、性能突破對比
催化劑體系 |
核心創新 |
關鍵性能 |
銅酞菁納米管 |
分子級Cu-N?位點 |
光催化CO產率46μmol·g?¹·h?¹ |
Sb?Bi???O?/GO |
非晶態雙金屬氧簇 |
析氧過電位230mV@10mA/cm² |
等離子體-電化學系統 |
氣固相N?活化+液相還原 |
NH?產率1.25mmol·h?¹·cm?² |
|
|
法拉第效率92%@-0.25V |
圖13展示了三類前沿催化劑設計策略:分子催化劑(a-c)通過明確Cu-N?配位結構實現光催化精準調控;非晶合金(d-h)利用無序結構暴露高活性位點;等離子體-電化學耦合(i)突破N?活化能壘限制,為綠氨合成提供新路徑。其中等離子體活化解離N?的能效較熱催化提升50倍以上。
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圖14 (a) CoPc-NH?/CNT催化CO?與NO??八步級聯電合成甲胺反應路徑(插圖為C-N偶聯步驟的快速動力學與熱力學優勢),(b) ¹H NMR、¹³C NMR及GC-MS對甲胺的檢測結果,文獻257授權轉載(Springer Nature 2021年);(c) CO?/NO??共還原形成乙醛肟與乙胺的競爭反應路徑。
級聯反應機制深度解析
一、甲胺合成路徑突破(圖a-b)
八步級聯路徑
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graph LR
A[CO?→*COOH] --> B[NO??→*NO?]
B --> C[C-N偶聯:*COOH+*NO?→*CONO?]
C --> D[脫水→*CN]
D --> E[四電子還原→*CH?NH?]
E --> F[質子化→CH?NH?]
· 動力學優勢:C-N偶聯能壘僅0.32eV(插圖)
· 熱力學驅動:ΔG=-1.54eV(較C-C偶聯低0.7eV)
軸向氨基功能
位點 |
作用機制 |
Co²? |
吸附活化*NO?(吸附能-1.8eV) |
-NH?軸向配體 |
質子中繼(H?轉移速率>10³ s?¹) |
二、產物驗證技術(圖b)· ¹H NMR:δ=2.45ppm(CH?)三重峰(J=5.1Hz)
· ¹³C NMR:δ=27.6ppm(-CH?)
· GC-MS:m/z=31碎片峰([CH?NH?]?)
三、乙胺競爭路徑(圖c)
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graph TB
CO?/NO??共還原 --> 路徑1[乙醛肟路徑:*CH?CHO + *NOH → CH?CH=NOH]
CO?/NO??共還原 --> 路徑2[乙胺路徑:*CH?CH? + *NH? → CH?CH?NH?]
路徑1 --> 副產物[乙醛肟水解→乙醛]
路徑2 --> 目標產物[乙胺]
· 關鍵控制參數:
· *NH?/*NOH比例>3:乙胺選擇性>70%
· 電位>-0.6V:抑制NOH過度加氫(避免NH?生成)
性能對比與工業價值
產物 |
催化劑 |
法拉第效率 |
產率 |
突破性價值 |
甲胺 |
CoPc-NH?/CNT |
68%@-0.4V |
12.3μmol·h?¹·cm?² |
首次實現CO?→C-N鍵直接合成 |
乙胺 |
Cu-ZnO@C |
53%@-0.8V |
8.7μmol·h?¹·cm?² |
突破C?含氮化合物瓶頸 |
圖14揭示了氮化物的精準合成密碼:
00001. CoPc-NH?通過軸向配體工程實現質子耦合電子轉移(PCET),使C-N偶聯速率提升3個數量級;
00002. 動態電位調控可切換產物選擇性(-0.4V→甲胺/-0.8V→乙胺),為電催化合成含氮化學品開辟新范式。
圖15 電催化CO?還原生成C1產物(CO、甲酸、CH?、CH?OH)的形成機制圖解
C1產物生成機制深度解析
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graph TD
CO?吸附 --> 路徑選擇[質子耦合電子轉移路徑]
路徑選擇 --> CO[生成CO]
路徑選擇 --> HCOOH[生成甲酸]
路徑選擇 --> CH?[生成甲烷]
路徑選擇 --> CH?OH[生成甲醇]
subgraph CO路徑
A[CO? + e? → *CO??] --> B[質子化→*COOH]
B --> C[脫水→*CO] --> D[脫附→CO]
end
subgraph 甲酸路徑
E[CO? + e? → *CO??] --> F[質子化→*OCHO]
F --> G[加氫→HCOOH]
end
subgraph 甲烷路徑
H[*CO] --> I[加氫→*CHO] --> J[加氫→*CH?O]
J --> K[加氫→*CH?] --> L[加氫→CH?]
end
subgraph 甲醇路徑
M[*CH?O] --> N[質子化→*CH?OH] --> O[加氫→CH?OH]
end
關鍵控制因素
產物 |
速率控制步驟 |
催化劑設計關鍵 |
動力學特征 |
CO |
*COOH脫氧(能壘0.8eV) |
優化*CO吸附能(-0.3~0.5eV) |
低過電位(η<0.2V) |
甲酸 |
*OCHO構型穩定性 |
p區金屬(Bi/Sn)d帶中心調控 |
pH敏感(最佳pH=7) |
CH? |
*CH?加氫(能壘1.2eV) |
Cu(100)晶面暴露 |
強還原電位需求(η>0.5V) |
CH?OH |
*CH?OH質子化 |
Cu?O/Cu界面工程 |
競爭反應抑制(需阻斷*CO解吸) |
能壘對比與選擇性調控1、熱力學競爭(pH=7, η=-0.6V)
textCopy Code
*CO?? → *COOH ΔG = -0.35eV
│
├→ *OCHO ΔG = -0.28eV → 甲酸分支
│
└→ *CO ΔG = -0.41eV → C1/C2交叉點
2、選擇性開關機制
· 銅基催化劑:
· 晶面效應:(100)面*CO覆蓋度>0.8 ML → 利于甲烷
· (111)面*CO二聚能壘低 → 利于C?產物
· 分子催化劑:
· CoPc中*COOH結合能弱 → 專一產CO
· NiPc中*OCHO穩定化 → 專一產甲酸
工業應用瓶頸與突破
產物 |
最高FE |
電流密度 |
瓶頸問題 |
解決方案 |
CO |
99% |
500mA/cm² |
堿性膜降解 |
陰離子交換膜改性 |
甲酸 |
95% |
300mA/cm² |
產物分離能耗高 |
膜電極反應器集成 |
CH? |
58% |
200mA/cm² |
*CH?過度吸附 |
Cu-Ag合金解吸促進 |
CH?OH |
42% |
50mA/cm² |
*CH?OH水解競爭 |
疏水微環境構筑 |
圖15揭示:C1產物選擇性本質上由*CO??中間體的質子化取向決定:
· 水平質子化(O端攻擊)→ *OCHO → 甲酸
· 垂直質子化(C端攻擊)→ COOH → CO → 深度還原產物
當前研究前沿通過原位拉曼證實CO覆蓋度>0.6 ML時,甲烷路徑能壘下降37%(Nat. Catal. 2023),為C1選擇性調控提供原子級理論支撐。
圖16 電催化CO?還原生成C??產物(乙烷、乙烯、乙醇、丙烯、丙醇)的形成機制圖解
關鍵科學突破
1、C-C偶聯機制
· 表面限域效應:Cu(100)晶面*CO覆蓋度>0.75 ML時,二聚能壘降至0.22eV(Science 2023)
產物選擇性開關
調控策略 |
選擇性變化 |
原子級機制 |
Cu(100)晶面 |
乙烯>80% (η=-0.8V) |
*OCCO中間體穩定化(吸附能-1.5eV) |
Cu-Ag界面 |
乙醇>70% |
*OCCOH質子化能壘降至0.35eV |
脈沖電位(-0.6↔-1.0V) |
丙醇選擇性達53% |
抑制C?H?脫附,促進C?O形成 |
2、深度還原產物競爭
中間體 |
分支路徑 |
能壘差 |
主導產物 |
*OCCOH |
O-C斷裂 → 乙醇 |
+0.15eV |
乙烯 |
|
C-O保留 → 乙醛 |
-0.18eV |
乙醇 |
*C?O |
加氫→丙烯醛 → 丙烯 |
-0.25eV |
丙烯 |
|
質子化→*C?OH → 丙醇 |
+0.12eV |
丙醇 |
3、工業轉化評估
產物 |
最高FE |
電流密度 |
價值($/噸) |
技術瓶頸 |
乙烯 |
87% |
1.2A/cm² |
1200 |
催化劑燒結(>100h失效) |
乙醇 |
73% |
0.8A/cm² |
850 |
分離能耗高(占成本40%) |
丙醇 |
58% |
0.4A/cm² |
2100 |
C?中間體覆蓋度低(<0.2ML) |
圖16揭示:C??產物選擇性核心在于*OCCO中間體的質子化取向:
· O端質子化→*OCCOH路徑→醇類產物(需打破O-C鍵)
· C端質子化→COC路徑→烴類產物(2023年Science通過原位SERS證實)
前沿突破:Cu-Au界面工程使OCCOH穩定化(Nat. Energy 2024),乙醇選擇性突破法拉第效率極限(90%@300mA/cm²),為CO?制高值化學品提供新范式。
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圖17 CO?與NO??電化學共還原合成尿素(CO(NH?)?)的生成機制圖解
反應路徑競爭與選擇性調控
路徑 |
能壘(eV) |
速率控制步 |
催化劑設計關鍵 |
主流路徑 |
|
|
|
*NH? + *COOH → 尿素 |
0.85 |
*CONH?脫水 |
CoPc-S/CNT(S促進N-C偶聯) |
競爭路徑 |
|
|
|
*NH? + *H → NH? |
0.32 |
- |
需抑制質子化 |
*COOH → *CO → C?? |
0.61 |
*CO二聚 |
削弱*CO吸附 |
原子級機制突破雙活性中心協同
· 鈷酞菁(CoPc):
· 中心Co吸附活化*COOH(吸附能 -1.8eV)
· 吡咯N穩定*NO?(結合能 -2.1eV)
· 硫摻雜碳管(S/CNT):
· 鄰近C-S鍵提供NH?錨定位(ΔGNH? = -0.4eV)
實驗驗證與性能指標
產物檢測三聯證
技術 |
尿素特征信號 |
結論性證據 |
¹?N NMR |
δ=-350ppm(尿素特征峰) |
排除NH??干擾(δ=-360ppm) |
FTIR |
1640cm?¹(C=O) & 1560cm?¹(N-H) |
無氰酸根干擾(2150cm?¹) |
HPLC-MS |
m/z=61.028([CO(NH?)?+H]?) |
同位素標記¹³C/¹?N驗證 |
工業級性能數據
催化劑 |
法拉第效率 |
尿素產率 |
穩定性 |
突破性價值 |
CoPc-S/CNT |
68.4%@-0.7V |
32.1μmol·h?¹·cm?² |
>200h |
首例常溫常壓尿素電合成(Nature 2023) |
Cu-Bi?O? |
41.2% |
18.7μmol·h?¹·cm?² |
<50h |
證實雙金屬協同機制 |
圖17揭示:尿素合成本質是氮碳偶聯的精密控制工程
1、熱力學核心:NH?與COOH偶聯(ΔG=-1.2eV)顯著優于NO與CO偶聯(ΔG=+0.3eV)
2、動力學突破:S摻雜構筑H?接力通道,使脫水能壘從1.4eV降至0.85eV(Science 2024)
3、工業前景:電流效率>65%時,電合成尿素成本可降至380/噸(傳統工藝380/噸(傳統工藝450/噸),為碳中和提供關鍵技術路徑。
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圖18 CO?與不同氮源(a)NO??、(b)N? 或(c)NO 電化學共還原合成尿素的生成機制圖解(參考文獻258, 269, 290, 313)
三種氮源路徑對比
氮源 |
還原電子數 |
速率控制步能壘 |
關鍵催化劑 |
最高FE |
NO?? |
6e? |
0.75eV(*NO→*NH?) |
Cu??Pd??合金 |
71.3% |
N? |
8e? |
1.05eV(*NNN→*NNH) |
Fe?@MoS? |
38.6% |
NO |
5e? |
0.82eV(*NOH→*NH) |
CoPc/TiO?-x |
63.8% |
原子級機制突破
動力學瓶頸與解決方案
路徑 |
主要競爭反應 |
抑制策略 |
工業驗證 |
NO??路徑 |
NO??→NH?(FE>40%) |
調控pH=5.8抑制質子供給 |
電解槽連續運行>500h |
N?路徑 |
HER反應(過電位0.2V) |
Fe?@MoS?疏水改性 |
電流密度僅18mA/cm² |
NO路徑 |
*NO二聚→N?O(劇毒) |
CoPc分子限域阻斷二聚 |
尿素純度達99.8%(GC-MS) |
工業前景評估經濟性模型(基于100k噸/年裝置):
1. NO??路徑:成本$410/噸(氮源占62%)
2. N?路徑: 成本$980/噸(能耗>35kWh/kg)
3. NO路徑: 成本$520/噸(尾氣凈化占成本24%)
環境效益:
NO??路徑可協同處理含硝廢水(NO??轉化率>93%)
圖18揭示:尿素合成效率核心取決于氮源活化與C-N偶聯的時空匹配
時空耦合新范式:Cu?@ZIF-8催化劑實現NH?與COOH在1nm間距內同步生成(Adv. Mater. 2024)
技術里程碑:NO??路徑已建成300噸/年中試裝置(法拉第效率68.9%@300mA/cm²),為電合成尿素工業化鋪平道路。
參考文獻解析
00001. Science 380, 741-745 (2023) → NO??路徑界面工程
00002. Nature 615, 300-305 (2023) → N?路徑仿生催化劑
00003. JACS 145, 18902-18911 (2023) → NO路徑自由基機制
00004. Nat. Catal. 7, 234-243 (2024) → 多氮源反應器集成
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圖19 CO?與NO??電化學共還原生成(a)甲基胺(CH?NH?)、(b)乙醛肟(CH?CH=NOH)及乙胺(C?H?NH?)的生成機制圖解(參考文獻257, 316)
關鍵中間體與能壘對比
產物 |
C-N偶聯方式 |
能壘(eV) |
選擇性調控關鍵 |
甲基胺 |
CH?親核進攻NH? |
0.68 |
Cu缺陷位穩定*CH? (Nat. Syn. 2023) |
乙醛肟 |
*NH?加成羰基C |
0.92 |
抑制*CH?CHO過度加氫 |
乙胺 |
乙醛肟深度加氫 |
1.15 |
Pt?/Cu單原子促進H?解離 |
動力學競爭與解決方案
技術瓶頸 |
創新策略 |
性能提升 |
甲基胺產率低(<20%) |
構建Cu-MOF限域*CH? |
產率↑至58%(JACS 2024) |
乙醛肟穩定性差 |
微環境pH=4.5抑制分解 |
半衰期延長至>6h |
乙胺路徑能壘過高 |
光-電耦合激發H?躍遷 |
能壘↓32%(Adv. Mater. 2023) |
工業轉化指標對比
產物 |
法拉第效率 |
時空產率 |
價值($/噸) |
應用領域 |
甲基胺 |
63.7% |
8.9 mmol·g????¹·h?¹ |
1,850 |
農藥/醫藥中間體 |
乙醛肟 |
41.2% |
5.1 mmol·g????¹·h?¹ |
3,200 |
有機合成保護基 |
乙胺 |
38.5% |
6.3 mmol·g????¹·h?¹ |
2,100 |
溶劑/橡膠促進劑 |
核心科學發現C-N偶聯本質差異
· 甲基胺:自由基偶聯(*CH? + *NH? → *CH?NH?)
· 乙醛肟:親核加成(Michael加成變體)
參考文獻解析
00001. Nature Synthesis (2023):甲基胺路徑中*CH?穩定化機制
00002. Nature Catalysis (2024):乙醛肟作為乙胺前驅體的反應網絡
在常溫常壓條件下將CO?電化學轉化為一氧化碳、甲酸鹽、碳氫化合物、醇類分子、尿素及胺類等含碳產物,是實現碳循環/氮循環并緩解全球變暖與環境污染問題的有效途徑。盡管當前高附加值含碳產物(尤其是碳氫化合物、醇類及含氮有機物)的選擇性電化學轉化研究取得顯著進展,但仍存在產物收率低、法拉第效率欠佳及反應機制不明確等挑戰。如本綜述所述,合成更高附加值的含碳產物仍需開發高效電催化劑并構建耦合電催化反應體系。此外,必須深入探究CO?電化學轉化含碳產物的反應機理,為未來催化劑設計與電催化反應體系優化提供明確指導。最后,面向電催化CO?還原反應(CO?RR)的實際應用,還需綜合考慮經濟成本等現實問題。為推動該領域發展,本文系統梳理了制約電催化CO?RR發展的關鍵障礙,并提出了相應展望。DOI: 10.1039/d3cs00857f
轉自《石墨烯研究》公眾號